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    2. Development history

      發展歷程

      1999年

      肩負核心元器件國產化的使命,與山東大學產學研合作,華光光電應運而生,填補了國內半導體激光器材料和芯片關鍵技術研發及生產的空白。

      2001年

      國內第一只具有自主知識產權的商品化650nm、808nm產品在華光下線。

      2002年

      國家產業化前期重大關鍵技術項目“半導體發光器件外延工藝及管芯技術四項子課題”通過國家技術鑒定和項目驗收,達到國際先進技術水平,光電子產業從此有了中國“芯”。

       

       

       

      2003年

      650nm同軸耦合輸出激光器研發成功并實現量產;各類激光器器件月產量達到80萬只;“半導體發光材料外延工藝與器件制造技術”榮獲山東省科技進步一等獎。

      2004年

      650nm激光器芯片月產量再創新高,達到月產能1000萬粒,產銷量躍居國內第一位。

      2005年

      建立中小功率封裝200mW-300mW 808nm激光器件封裝生產線,并迅速實現月產2萬只能力。

      2006年

      經過不斷擴量,650nm激光器芯片月產量達到1500萬粒;200mW-300mW 808nm激光器器件月產量達到10萬只;650/808產品產銷穩居國內領先地位;獲批山東省光電子工程技術研究中心。

      2007年

      瓦級 808nm激光器取得技術突破,并實現量產;5W 808nm半導體激光器研發成功。

      2008年

      自主研發的808nm單管8W激光器下線并量產;光纖耦合輸出FM系列激光器研發成功,并迅速實現規?;慨a。

      2009年

      科技部863“高可靠性、低成本半導體激光器材料與器件工程化開發“項目實施;基于不斷提升的技術創新能力,華光光電獲批山東省半導體激光器技術重點實驗室。

      2010年

      濰坊廠區一期項目順利完工,并全線投入使用,激光器月產量達到30萬只;獲批山東省大功率半導體激光器工程實驗室。

      2011年

      “高功率808nm非對稱無鋁應變量子阱激光器”榮獲山東省技術發明二等獎。

      2012年

      405nm同軸耦合光纖輸出激光器研發成功,并實現量產。

      2013年

      650nm同軸耦合輸出激光器研發成功并實現量產;各類激光器器件月產量達到80萬只。

      2015年

      500W微通道疊陣激光器研發成功;808nm激光器達到月產銷500萬只能力,并連續10年產銷規模穩居國內第一位。

      2014年

      實施激光器擴產計劃,各類激光器器件月產量突破200萬只。

      2016年

      千瓦級微通道疊陣激光器研發成功;資本運作進入新階段。

      2017年

      第一臺采用自產巴條的5巴條300W、10巴條500W宏通道疊陣激光器模塊相繼研發成功并量產;大功率650nm激光器單管輸出功率2.8W,指標達到國際先進水平。

      2019年

      808/878泵源性價比進入世界先進行列;915nm20W芯片光束質量達到較高水平,偏振度優于國際上同類產品。

      2018年

      國內第一只傳感用85度高溫790nm激光器件研發成功,并實現量產;9系列大功率巴條被客戶認定為國際前三;高端650nm激光器器件實現月產銷200萬只能力;
      采用自產巴條的10巴1000W宏通道疊陣激光器模塊研發成功并實現量產,808nm產品產銷量繼續保持國內領先地位,并以該產品為基礎獲批山東省“單項冠軍”。

      2020年

      獲批“國家認定企業技術中心”;實現年產激光外延片5萬片,激光芯片3億粒、激光器器件1億只;650nm激光器件月產銷規模達到500萬只,位居國內第一位。

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